표면처리 조성물 및 그것을 이용한 표면처리 방법

본 발명은 표면처리 조성물 및 그것을 이용한 표면처리 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면에 따른 표면처리 조성물은, 킬레이트제; 비이온성 계면활성제; 음이온성 계면활성제; 및 pH 조절제;를 포함하고, 본 발명의 다른 측면에 따른 표면처리 방법은, 본 발명의 일 측면에 따른 표면처리 조성물을 사용하여 반도체 디바이스용 웨이퍼의 화학기계적 연마 후의 반도체 디바이스용 웨이퍼를 표면처리하는 것이다.