[韩国发明公开]
KR1020170090991
파이 형상 처리를 발생시키기 위한 대칭적인 플라즈마 소스
著录项
申请号
KR1020170090991
申请日
20170718
公开号
KR1020170107935A
公开日
20170926
申请(专利权)人
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人
수브라마니, 아난타 케이.
호우쉬만드, 파자드
크라우스, 필립 에이.
초두리, 아비?
포스터, 존 씨.
베라, 칼롤
地址
미국 95054 캘리포니아 산타 클라라 바우어스 애브뉴 3050000-000
主分类号
H01J37/32
分类号
H01J37/32
H01L21/205
代理人
특허법인 남앤드남
摘要
RF 핫 전극(hot electrode)을 갖는 하우징을 포함하는 플라즈마 소스 어셈블리들이 설명되며, RF 핫 전극은 바디, 및 RF 핫 전극으로부터 하우징의 전방 면 내의 개구 쪽으로 수직으로 연장하는 복수의 소스 전극들을 갖는다. 플라즈마 소스 어셈블리들을 포함하는 프로세싱 챔버들, 및 플라즈마 소스 어셈블리들을 사용하는 방법들이 또한 설명된다.
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파이 형상 처리를 발생시키기 위한 대칭적인 플라즈마 소스