一种TiB2-HfN/TiB2-HfC层状陶瓷材料及其制备方法

本发明涉及层状陶瓷材料领域，具体为一种TiB2‑HfN/TiB2‑HfC层状陶瓷材料及制备方法，解决TiB2基陶瓷材料综合力学性能低，成层工艺难以兼顾质量和效率，烧结工艺难以进一步提高致密度的问题。TiB2‑HfN层由如下质量百分比原料组成：TiB270%‑80%，HfN10%‑20%，Mo3%‑7%，Ni3%‑7%；TiB2‑HfC层由如下质量百分比原料组成：TiB270%‑80%，HfC10%‑20%，Mo3%‑7%，Ni3%‑7%。本发明结合微叠层粉体铺层技术与超声热压烧结技术，制备的TiB2‑HfN/TiB2‑HfC层状陶瓷材料致密度高，综合力学性能好，成层质量好、成层效率高。