[中国发明]
CN202310246383.X
半导体器件
著录项
申请号
CN202310246383.X
申请日
20230307
公开号
CN116744779A
公开日
20230912
申请(专利权)人
三星电子株式会社
当前权利人
三星电子株式会社
发明人
朴正敏
林汉镇
丁炯硕
地址
韩国京畿道
国省代码
韩国(KR)
优先权
20220311 KR10-2022-0030547
主分类号
H10N97/00
分类号
H10N97/00
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
屈玉华
技术关键词
摘要
一种半导体器件包括电容器结构。该电容器结构包括在第一方向上顺序堆叠的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括插设在底电极和顶电极之间并在第一方向上交替堆叠的第一电介质层和第二电介质层。第一电介质层包括铁电材料,第二电介质层包括反铁电材料。最下面的第二电介质层插设在最下面的第一电介质层和底电极之间,最上面的第二电介质层插设在最上面的第一电介质层和顶电极之间。
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