[中国发明]CN202310246383.X

半导体器件

著录项
技术关键词
摘要
一种半导体器件包括电容器结构。该电容器结构包括在第一方向上顺序堆叠的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括插设在底电极和顶电极之间并在第一方向上交替堆叠的第一电介质层和第二电介质层。第一电介质层包括铁电材料,第二电介质层包括反铁电材料。最下面的第二电介质层插设在最下面的第一电介质层和底电极之间,最上面的第二电介质层插设在最上面的第一电介质层和顶电极之间。

信息查询
网页搜索
学术搜索