用于石英晶体的等离子体刻蚀方法

本发明公开了一种用于石英晶体的等离子体刻蚀方法。该刻蚀方法包括：对衬底和掩蔽块进行选择，并将所述衬底设置于所述刻蚀腔内；将待刻蚀的石英晶体放置于所述衬底上，并根据需要将所述掩蔽块放置于所述石英晶体上；根据所述石英晶体的刻蚀深度需求，在所述刻蚀机上对刻蚀气体的种类、反应气体的体积混合比、刻蚀气体的流速、刻蚀腔的压强以及等离子体的功率进行控制，此后，开启所述刻蚀机以对所述石英晶体进行刻蚀。本发明不仅能够对石英晶体进行整体或者局部刻蚀，还能够保证刻蚀得到的石英晶体的精度和强度。