[中国发明]
CN202111585313.4
金属锂二次电池的改性隔膜及其制备技术
著录项
申请号
CN202111585313.4
申请日
20211217
公开号
CN116266660A
公开日
20230620
申请(专利权)人
北京理工大学
当前权利人
北京理工大学
发明人
陈楠
陈人杰
刘涵霄
赵利媛
地址
100081北京市海淀区中关村南大街5号
国省代码
北京(11)
主分类号
H01M50/40
分类号
H01M50/40
H01M50/403
H01M50/446
H01M50/449
技术关键词
摘要
本发明公开了金属锂二次电池的改性隔膜及其制备技术。所述改性隔膜由隔膜、无机颗粒和锂化Nafion组成。使用刮涂法将无机颗粒和锂化Nafion混合浆料涂覆celgard隔膜,恒温干燥后得到改性隔膜。该隔膜兼具高的机械强度及弹性模量,可以抑制锂枝晶的生长;对锂离子具有单一透过性,离子导电率高。该方隔膜制备技术简单,原材料易得、安全无污染,使用常规设备,适合大规模生产。
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