[中国发明]CN202011302419.4

图像传感器及深度成像系统

著录项
摘要
本发明提供一种图像传感器及深度成像系统,所述图像传感器包括:负电极层,形成于驱动层中;N区层,对应形成于所述负电极层表面,包含由半导体材料形成的若干圆柱状结构;光吸收层,对应形成于所述N区层表面,至少包含由量子点半导体材料形成的P区层;正电极层,对应形成于所述光吸收层表面,接收入射光束。本发明中图像传感器中光吸收层中包含量子点半导体材料,能够明显提升Time of Flight(TOF)深度成像系统的探测距离与精度。

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