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CN202010379116.6
一种高耐电性能GIS/GIL盆式绝缘子的多层次优化设计方法
著录项
申请号
CN202010379116.6
申请日
20200507
公开号
CN111553089A
公开日
20200818
申请(专利权)人
西安交通大学
当前权利人
西安交通大学
发明人
张冠军
王超
李文栋
江智慧
杨雄
薛建议
地址
710049陕西省西安市咸宁西路28号
国省代码
陕西(61)
主分类号
G06F30/20
分类号
G06F30/20
G06N3/00
G06N3/12
G06F111/06
G06F111/10
代理机构
西安通大专利代理有限责任公司
代理人
高博
技术关键词
摘要
本发明公开了一种高耐电性能GIS/GIL盆式绝缘子的多层次优化设计方法,包括初步设计阶段和详细设计阶段,在初步设计阶段,采用轮廓形状优化,构建GIS/GIL盆式绝缘子的基本外形,利用二维轮廓函数描述盆体凸面和凹面的形状,考虑引入介电功能梯度材料分布,利用拓扑优化调整介电特性空间分布主动调控电场分布,进一步深度均化沿面电场;在详细设计阶段,根据介电分布拓扑优化的结果,将优化出的梯度绝缘区域转化介电常数不变的高介电区域,对高压侧金属附件及高介电区域的尺寸进行微调,采用遗传算法或蚁群算法寻找出最优的尺寸参量,完成对GIS/GIL用盆式绝缘子的设计。本发明能够充分拓展设计空间,实现沿面电场的深度抑制,达到提升盆式绝缘子击穿电压的目的。
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一种高耐电性能GIS/GIL盆式绝缘子的多层次优化设计方法