VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构

VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。涉及电子封装技术领域，尤其涉及VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。提供了一种结构简单，有效减小芯片温升及其对器件封装结构和器件性能的影响，提高器件质量可靠性的VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。包括基板，所述基板上设有芯片焊接区；所述芯片焊接区的中心和四角端分别设有金属凸点组，所述金属凸点组包括金属中心凸点，所述金属中心凸点的外侧设有至少一个金属凸点环。所述金属凸点环包括至少两个，其从内到外依次分别为第一金属凸点环、第二金属凸点环……第n金属凸点环；n≥3，n为整数。本实用新型设计独特、结构简单、制作方便。