[中国发明,中国发明授权]
CN201810585927.4
一种基于温度外推法的薄膜热电偶静态特性标定方法
著录项
申请号
CN201810585927.4
申请日
20180608
公开号
CN108627283A
公开日
20181009
申请(专利权)人
中国计量大学
当前权利人
中国计量大学
发明人
杨遂军
丁炯
陈柔茹
叶树亮
地址
310018浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号
国省代码
浙江(33)
主分类号
G01K15/00
分类号
G01K15/00
代理机构
杭州奥创知识产权代理有限公司
代理人
王佳健
技术关键词
摘要
本发明公开了一种基于温度外推法的薄膜热电偶静态特性标定方法。本发明以激光作为标定激励源,根据传感器内集成薄膜铂电阻结合温度外推模型实现薄膜热电偶温度推算,根据数字正交解调技术同步测量薄膜铂电阻阻值和薄膜热电偶热电势,实现薄膜热电偶静态特性标定。所述方法将标定时的温度梯度集中在传感器上,使标定时温度分布与使用时一致,实现静态特性的准确标定。本发明通过改变激光器控制器的输出电流大小控制激光器出光功率,可实现不同温度下薄膜热电偶静态特性标定,相对于常规的薄膜热电偶静态特性标定装置,能够将温度梯度集中于传感器内避免补偿导线中温度梯度影响标定结果,具有标定准确度高的特点。
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一种基于温度外推法的薄膜热电偶静态特性标定方法