发光二极管结构

本发明揭示了一种发光二极管结构，其包括一堆栈半导体层、一接触层以及一介电反射层。堆栈半导体层包括一第一型掺杂层、一第二型掺杂层以及一配置于第一型掺杂层及第二型掺杂层之间的主动层，其中多个开孔穿入第一型掺杂层、主动层及第二型掺杂层。接触层配置于第二型掺杂层上。从发光二极管结构的俯视方向看，介电反射层以小于或等于60%的覆盖率连接接触层及第一型掺杂层。