[中国发明]
CN201711458936.9
一种石墨烯基多孔碳片材料、制备方法及其应用
著录项
申请号
CN201711458936.9
申请日
20171228
公开号
CN108365153A
公开日
20180803
申请(专利权)人
北京理工大学
当前权利人
北京理工大学
发明人
陈人杰
李万隆
叶玉胜
曲薇
李丽
吴锋
地址
100081北京市海淀区中关村南大街5号
国省代码
北京(11)
主分类号
H01M2/16
分类号
H01M2/16
H01M10/052
代理机构
北京理工大学专利中心
代理人
张洁
仇蕾安
摘要
本发明涉及一种石墨烯基多孔碳片材料、制备方法及其应用,属于电池材料技术领域。所述石墨烯基多孔碳片材料为二维片层结构,多孔碳片分布在石墨烯层上下表面上,石墨烯基多孔碳片材料中掺杂有钴氮。所述材料具有均匀的多孔结构、高钴氮含量和连续的电子导电性。该材料中丰富的孔道结构和高钴氮含量可以对多硫离子起到较好的物理化学吸附作用,阻碍多硫离子的穿梭;同时该材料具有良好的电子导电性,可以起到二次集流体的作用,有利于提高硫正极材料的利用率。所述材料用于锂硫电池隔膜中,可抑制多硫离子的“穿梭效应”,提高活性物质硫的利用率,提高锂硫电池的循环稳定性,从而提升锂硫电池的电化学性能。
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一种石墨烯基多孔碳片材料、制备方法及其应用