一种半导体激光器及其制作方法

本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法，该半导体激光器包括：相对设置的N型电极以及P型电极；设置在所述N型电极与所述P型电极之间的功能层；在第一方向上，所述功能层包括依次设置的衬底、N型包层、N型光限制层、有源区、P型光限制层、P型包层、绝缘层以及P型欧姆接触层；其中，所述第一方向为由所述N型电极指向所述P型电极的方向；所述P型电极包括：电流注入区以及非电流注入区；在所述第一方向上，所述绝缘层与所述电流注入区相对的位置设置有镂空图案，使得所述P型电极与所述P型欧姆接触层在所述电流注入区处电连接。所述半导体激光器具有低侧向发散角的特性。