[中国发明,中国发明授权]
CN201610027887.2
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一种氧化铜花状纳米结构材料及其制备方法
著录项
申请号
CN201610027887.2
申请日
20160115
公开号
CN105731517A
公开日
20160706
申请(专利权)人
电子科技大学
当前权利人
电子科技大学
发明人
李志杰
王治国
王宁宁
地址
611731四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国省代码
四川(51)
主分类号
C01G3/02
分类号
C01G3/02
B82Y30/00
B82Y40/00
代理机构
电子科技大学专利中心
代理人
张杨
技术关键词
摘要
本发明属于无机材料制备技术领域,具体涉及一种在陶瓷管上生长氧化铜(CuO)花状纳米材料的方法。本发明采用乙酸铜为铜源,以陶瓷管为载体,在碱性条件下,直接水热反应在陶瓷管上生长出氧化铜花状纳米结构材料。本发明制备氧化铜花状纳米结构材料:由颗粒大小为50~80纳米颗粒组成的单层纳米薄片构成,其中颗粒之间相互沾连,颗粒之间有明显的孔隙,构成网络结构的薄片,纯度高,单相,花状结构整齐,直径为6~11微米。本发明不采用表面活性剂,生产工艺简单,可控性强;其结构使得在磁性材料、光吸收、传感器、超导材料、催化剂、热敏电阻、磁性存储、锂离子电池和生物医药领域有广泛的应用前景。
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