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CN201510457852.8
高功率共面电极泄露波激光器
著录项
申请号
CN201510457852.8
申请日
20150730
公开号
CN105048283A
公开日
20151111
申请(专利权)人
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
当前权利人
吉光半导体科技有限公司
发明人
汪丽杰
佟存柱
田思聪
舒世立
吴昊
王立军
地址
130033吉林省长春市东南湖大路3888号
国省代码
吉林(22)
主分类号
H01S5/22
分类号
H01S5/22
H01S5/042
代理机构
长春菁华专利商标代理事务所
代理人
李青
摘要
高功率共面电极泄露波激光器属于光电子技术领域,激光器为凸形结构,其中下宽部分从下到上为:非掺杂衬底和N型包层;在N型包层的中间部分刻蚀上窄部分,上窄部分从下到上依次为:N型波导、有源区、P型波导、P型包层和P型盖层。本发明是内腔电注入的泄露波半导体激光器,衬底不掺杂,光在其中传输具有非常低的损耗,有利于提高激光器的输出功率,即使激射光子能量高于衬底的带隙能量,载流子吸收损耗也很低,应用波长很广,制备工艺简单。介质反射镜将泄漏到衬底的光波反射回有源区,形成反馈,提高增益,抑制光波泄漏到高吸收的焊接电极,降低损耗。采用非掺杂衬底及内腔电流注入,具有损耗小、阈值低的优点,有利于实现高功率激光输出。
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