[中国发明,中国发明授权]CN201510457852.8

高功率共面电极泄露波激光器

著录项
摘要
高功率共面电极泄露波激光器属于光电子技术领域,激光器为凸形结构,其中下宽部分从下到上为:非掺杂衬底和N型包层;在N型包层的中间部分刻蚀上窄部分,上窄部分从下到上依次为:N型波导、有源区、P型波导、P型包层和P型盖层。本发明是内腔电注入的泄露波半导体激光器,衬底不掺杂,光在其中传输具有非常低的损耗,有利于提高激光器的输出功率,即使激射光子能量高于衬底的带隙能量,载流子吸收损耗也很低,应用波长很广,制备工艺简单。介质反射镜将泄漏到衬底的光波反射回有源区,形成反馈,提高增益,抑制光波泄漏到高吸收的焊接电极,降低损耗。采用非掺杂衬底及内腔电流注入,具有损耗小、阈值低的优点,有利于实现高功率激光输出。

信息查询
网页搜索
学术搜索