一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法

本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程：首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气，并使其中氮气的含量保持在20％～30％，待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜；然后以0.5sccm/min～4sccm/min的匀速在10～20分钟调节溅射腔体内氩气与氮气的比例，使氮气含量从先前20％～30％的含量增加到50％；最后不调整溅射功率，并在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器，结束薄膜生长。本发明可以在制备出同时满足C轴择优取向生长，表面晶粒生长正常，晶粒尺寸均匀，表面平整，适合制作声表面波器件的高质量氮化铝压电薄膜。