[中国发明,中国发明授权]
CN201510249584.0
售
一种La3Ga5SiO14薄膜的制备方法
著录项
申请号
CN201510249584.0
申请日
20150515
公开号
CN104876231A
公开日
20150902
申请(专利权)人
电子科技大学
当前权利人
电子科技大学
发明人
彭斌
邓言文
张万里
张文旭
王睿
姜建英
地址
611731四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国省代码
四川(51)
主分类号
C01B33/20
分类号
C01B33/20
代理机构
电子科技大学专利中心
代理人
李明光
技术关键词
摘要
一种La3Ga5SiO14薄膜的制备方法,属于薄膜材料制备领域。包括以下步骤:1)以硝酸镓、硝酸镧作为前驱物,硅酸四乙酯提供硅源,柠檬酸作为螯合剂,乙醇作为溶剂配制前驱体溶胶;2)将前驱体溶胶涂覆于基片上,放入管式炉内150~200℃热处理60~90min;3)将前驱体溶胶涂覆于上步得到的基片上,放入管式炉内300~400℃热处理60~90min;4)交替进行步骤2)、步骤3)的操作,完成4~20次旋涂和热处理后,将基片放入管式炉内,在1200~1300℃热处理1~5h,冷却,即在基片上得到LGS薄膜。本发明工艺简单,成本低廉,降低了对实验环境的要求,且得到的LGS薄膜表面致密。
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