一种具有浮岛结构的沟槽型二极管

本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有浮岛结构的沟槽型二极管。本发明的沟槽型二极管，其特征在于，在沟槽中设置有第一N型半导体掺杂区、浮空P岛和第二N型半导体掺杂区；所述第二N型半导体掺杂区位于沟槽的侧壁与栅氧化层相连；所述浮空P岛位于第二N型半导体掺杂区之间；所述第一N型半导体掺杂区位于第二N型半导体掺杂区和浮空P岛的顶部，并与阳极相连。本发明的有益效果为，可在同样的电流密度下实现更低的正向压降，器件在高温下的可靠性更好。本发明尤其适用于沟槽型二极管。