一种高端MOSFET驱动电路

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及到一种高端MOSFET驱动电路。本发明包括高端功率管MH，低端功率管ML，高端驱动电路、低端驱动电路，其中高端驱动电路的输出接高端功率管MH的栅极，低端驱动电路的输出接低端功率管ML的栅极；当高端功率管开启时，利用常规的自举方法，使得高端驱动电路工作在浮动电源轨。由于死区时间的存在，在高端功率管关闭后，需要从高端驱动电路反馈一逻辑信号至低端驱动电路，最终控制低端功率管开启；同样的，在低端功率管关闭后，也会需要从低端驱动电路反馈一逻辑信号至高端驱动电路，最终控制高端功率管开启。本发明尤其适用于高端MOSFET驱动电路。