[中国发明,中国发明授权]
CN201310533921.X
新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台
著录项
申请号
CN201310533921.X
申请日
20131101
公开号
CN103776697A
公开日
20140507
申请(专利权)人
武汉科技大学
当前权利人
武汉科技大学
发明人
许仁波
涂福泉
段晶晶
陈新元
傅连东
刘春雨
杨攀
孟奇龙
地址
430000湖北省武汉市青山区和平大道947号
国省代码
湖北(42)
主分类号
G01N3/12
分类号
G01N3/12
G01N3/02
代理机构
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人
陈圣清
技术关键词
摘要
本发明提供一种新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台,包括底座;下固定工装、磁场产生组件、上固定工装、传感测量组件和外壳。该测试平台,包含的磁场产生组件中的铁芯为可调式,可根据合金的尺寸调整铁芯形成的第一间隙的大小,从而使其产生的磁场与合金更加匹配,提高实验测试的准确性。
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新型磁控形状记忆合金多场耦合力学性能测试平台