[中国发明,中国发明授权]
CN201110332638.1
售
一种片内集成低噪声放大器
著录项
申请号
CN201110332638.1
申请日
20111028
公开号
CN102394571A
公开日
20120328
申请(专利权)人
电子科技大学
当前权利人
电子科技大学
发明人
刘洋
于奇
张小龙
杨帆
彭媛
孙明远
地址
610054四川省成都市建设北路二段4号电子科技大学
国省代码
中国,CN,四川(51)
主分类号
H03F1/26
分类号
H03F1/26
代理机构
成都科海专利事务有限责任公司
代理人
盛明洁
技术关键词
摘要
一种片内集成低噪声放大器,涉及到集成电路领域中的芯片设计技术,该低噪声放大器应用于接收器的射频前端。本发明的电路分为信号输入网络、放大器部分和噪声抵消部分,在915MHz频率处可实现全集成。本发明采用了电压并联负反馈结构作为输入阻抗网络匹配的一部分,具有低输入阻抗特性,便于调节阻抗匹配,电路中结合了低噪声放大器的噪声抵消技术,短沟道器件的低输出阻抗特性及窄带低噪声放大器良好的选频特性设计而成,电路中采用的电感数目少,减小了芯片面积,便于集成化,降低了成本,是一种理想的集成低噪声放大器。
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一种片内集成低噪声放大器