具有不同栅极介质的半导体器件及其制造方法

一种半导体器件，包括第一和第二晶体管器件。该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分。