[中国发明]CN01118682.8

具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法

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技术关键词
摘要
一种具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法,提供半导体基底的表面上设置有多数个内连导线,于内连导线及基底表面上形成第一介电层;进行回蚀刻制程,残留于内连导线侧壁的第一介电层成为第一介电质间隙壁;于内连导线、基底以及第一间隙壁的表面上形成第二介电层;进行回蚀刻制程,残留于第一介电质间隙壁的第二介电层成为第二介电质间隙壁;形成第三介电层;进行平坦化制程。切实地减少漏电流,提高产品的信赖性与优良率,并可进一步达成积体电路缩小化的目标。

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