[中国发明]
CN01118682.8
具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法
著录项
申请号
CN01118682.8
申请日
20010607
公开号
CN1391277A
公开日
20030115
申请(专利权)人
矽统科技股份有限公司
当前权利人
矽统科技股份有限公司
发明人
钟振辉
林义雄
徐震球
地址
台湾省新竹科学园区
国省代码
中国,CN,台湾(71)
主分类号
H01L23/52
分类号
H01L23/52
H01L23/52
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司
代理人
刘朝华
技术关键词
摘要
一种具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法,提供半导体基底的表面上设置有多数个内连导线,于内连导线及基底表面上形成第一介电层;进行回蚀刻制程,残留于内连导线侧壁的第一介电层成为第一介电质间隙壁;于内连导线、基底以及第一间隙壁的表面上形成第二介电层;进行回蚀刻制程,残留于第一介电质间隙壁的第二介电层成为第二介电质间隙壁;形成第三介电层;进行平坦化制程。切实地减少漏电流,提高产品的信赖性与优良率,并可进一步达成积体电路缩小化的目标。
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具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法